天科合达半导体有限公司 天科合达半导体有限公司是国企吗

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1、参考资料来源：本文精编自：中泰证券《宽禁带半导体行业深度：SiC 与 GaN 的兴起与未来》碳化硅具有高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点， 未来将广泛应用于新能源 汽车 、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域， 在未来「新基建」，「数字基建」有着巨大的商业前景。

2、电已成为 汽车 市场主流，多数电仍是以硅材料的IGBT来作逆变器芯片模组，是功率半导体在电领域的技术主流。

3、但 自从特斯拉Tesla推出Model3，采用以24个碳化硅 MOSFET为功率模块的逆变器后，碳化硅（SiC）这类新型半导体材料越来越受重视。

4、碳化硅到底是何方神圣？ 碳化硅是一种宽禁带半导体材料，属于第三代半导体材料，其禁带宽度高达3.0eV，相比代半导体材料硅，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。

5、但碳化硅也有巨大的痛点：短缺且昂贵，常常有价无市。

6、目前传统硅基产业极其成熟的商业环境，至少有一大半原因是硅材料较为容易得到。

7、硅材料成熟且高效的制备技术使得硅材料目前十分低廉， 目前6英寸硅抛光片仅150元，8英寸300元，12英寸850元左右。

8、 用直拉法生产硅晶片，72小时能生长出2-3米左右的硅单晶棒，一根单晶棒一次能切下上千片硅片。

9、目前最快的碳化硅单晶生长的方法，生长速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右，因此72小时也7.2mm~14.4mm厚度的晶体。

10、只有几厘米都不到！ 目前4英寸碳化硅售价在4000-5000元左右，6英寸更是达到8000-10000元的水平。

11、因此国内外下游厂家，纷纷和科锐（Cree）等碳化硅龙头签订长期合约锁定产能。

12、SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组三大环节。

13、SiC衬底： SiC晶体通常用Lely法制造，主品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主。

14、由于现有的6英寸的硅晶圆产线可以升级改造用于生产SiC器件，所以6英寸SiC衬底的高市占率将维持较长时间。

15、SiC器件： 上600~1700V SiC SBD、MOSFET已经实现产业化，主品耐压水平在1200V以下，封装形式以TO封装为主。

16、价格方面，上的SiC产品价格是对应Si产品的5~6倍，正以每年10%的速度下降，随着上游材料器件纷纷扩产上线，未来2~3年后市场供应加大，价格将进一步下降，预计价格达到对应Si产品2~3倍时，由系统成本减少和性能提升带来的优势将推动SiC逐步占领Si器件的市场空间。

17、科锐（Cree）：全球在碳化硅功率器件市场，Wolfspeed占据市场的份额。

18、Wolfspeed虽然目前是Cree三大部门（LED、LED照明应用、Wolfspeed）中体量最小的，但已经是公司最核心的业务部门。

19、Wolfspeed 2018 年实现营收 3.29 亿美元，同比增长 25.47%；毛利率高达 47%。

20、根据公开业绩说明会，Wolfspeed 的目标是在 2022 年收入番两番，达到 8.5 亿美元，届时将成为 Cree 的收入来源。

21、在 Wolfspeed 看来，到 2022年只要有25%的目标市场转换为SiC和GaN，就将是20亿美元的市场，是现今市场的 8 倍，公司为极具潜力的 SiC 和 GaN 已经做好了准备。

22、天科合达自2006年成立以来，2020年7月14日申请科创板上市，一直专注于碳化硅晶体生长和单晶片生产领域，先后研制出2英寸、3英寸、4英寸碳化硅衬底，于2014年在研制出6英寸碳化硅单晶片，并已形成规模化生产能力，工艺技术水平处于国内领先地位，堪称碳化硅的「明日之星」。

23、 此外，中科院物理所、大基金、华为的哈勃投资等均为天科合达的股东之一。

24、编辑/jasonzeng风险提示：上文所示之作者或者嘉宾的观点，都有其特定立场，投资决策需建立在思考之上。

本文到这结束，希望上面文章对大家有所帮助。